| 招商类别： | 项目招商 |
| 所属区域： | 中国 浙江 宁波 |
| 所属行业： | 高新技术 |
| 合作需求： | 土地出让/租赁 融资 其它合作 |
| 总投资： | 10000万 美元 |
| 引资金额： | 不限 |
| 项目标签： | 招商 |
| 发布日期： | 2008-5-12 |
| 有效期： | 12个月 |
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- 产业介绍
宁波国家高新区的前身宁波市科技园区始建于1999年7月。经国务院批准，于2007年1月升级为国家高新技术产业开发区。已先后引进了中科院材料所、兵科院宁波分院、宁波中科集成电路设计中心、宁波微软技术中心等科技研发机构145家；集聚日本三洋、美国伊顿和日银IMP微电子、升谱光电、永新光学等各类企业2000多家；建成了宁波市科技创业中心、浙大科创中心等总面积达25万平方米的高水准“孵化器”，是宁波建设创新型城市的重要载体和长江三角洲南翼的科技创新基地。 建设规模：年产高亮度GaNLED、AlInGaPLED磊芯片各90000片；GaNLED晶粒19.2亿粒、AlInGaP晶粒36亿粒我国在半导体照明领域已具备一定技术和产业基础，现有LED从业企业2000多家，但绝大多数厂家从事后道封装生产和应用，在关键环节尤其是外延片生长，与日本、美国等国还存在巨大的差距。随着国内半导体照明应用产业对LED需求的快速增长，国内外延片、芯片生产的质和量都远不能满足市场需求。宁波高新区致力于半导体照明产业链建设，将推出特殊产业支持政策吸引建设GaN、AIInGaP磊芯片生产线和晶粒生产线。本项目规划用地6.7万平方米，年产高亮度GaN LED磊芯片90000片、AlInGaP LED磊芯片90000片；GaN LED晶粒19.2亿粒(以12mil为计算基准)、AlInGaP LED晶粒36亿粒(以8mil为计算基准)。预计年销售收入300000万元，年利润45000万元。
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